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北京大学电子学系前沿学术论坛第9期

时间:2021年6月4日(周五)14:00-16:00

地点:北京大学理科二号楼2736报告厅

主讲人:陈堂胜研究员

联系人:刘洪刚 研究员liuhonggang@iioyt.com

报告题目:大功率与超高频GaN微波功率器件

报告摘要:近年来三代半导体GaN微波功率器件在军民领域得到广泛应用,但器件性能优势还有待进一步发掘。与金刚石结合解决器件散热问题实现更高输出功率密度以及采用新型异质结结合低寄生35nm栅长工艺提高器件工作频率是GaN微波功率器件发展的主要方向。报告将给出近期研究结果,分析存在的问题,提出继续努力的技术途径。

报告人简介:

陈堂胜,1986年、1989年毕业于西安交通大学半导体物理与器件专业,分别获学士和硕士学位,研究员级高级工程师,现任中国电子科技集团公司工艺制造领域首席科学家,砷化镓微波毫米波单片和模块电路国防科技重点实验室主任。长期从事化合物半导体微波功率器件和单片电路工艺技术研究,研究兴趣包括半导体异质集成技术、THz器件技术等。


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